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元件参数资料
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参数目录39591
> STW30N20 MOSFET N-CH 200V 30A TO-247
型号:
STW30N20
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STW30N20 PDF
产品目录绘图
ST Series TO-247
标准包装
600
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
38nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1597pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
TO-247-3
包装
管件
产品目录页面
1541 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
497-5168-5
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